学术报告第201757期

报告题目：Active Voltage Control for High-power IGBT and MOSFET高功率IGBT和MOSFET的有源电压控制技术

报告人：杨鑫

报告时间：2017年11月7日 下午3:00—4:00

报告地点：南一楼中311

报告摘要：

IGBT和MOSFET是目前最重要的两种电力半导体器件，在电能变换领域有重要的应用。本报告主要介绍一种智能IGBT和MOSFET门极驱动控制技术。该技术可以有效控制IGBT和MOSFET开通与关断的瞬态过程，降低由高速开关过程导致的电磁干扰，确保IGBT和MOSFET始终在安全工作区域工作。此外，该技术可以用于多个IGBT或MOSFET的串联，有效平衡各个器件的电压与电流，从而实现更高电压和功率等级。该技术在超高压直流输电（HVDC），大容量电力电子变流器，以及电力拖动等领域有广泛的应用前景。

报告人简介：

杨鑫，男，1987年12月出生，国家第十三批“青年计划”特聘研究员，湖南省“百人计划”特聘研究员，湖南省湖湘青年英才入选者。2015年10月，作为部队海外人才引进特招入伍。2009年本科毕业于华中科技大学电气与电子工程学院（电气工程及其自动化专业），2010年硕士毕业于英国帝国理工学院（模拟与数字集成电路专业），2014年博士毕业于英国剑桥大学电子工程系后，在英国工程与自然科学研究理事会（EPSRC）的支持下继续从事大功率电力电子器件应用研究，与英国Dynex, Fuji Electric，中车株洲等企业有长期的合作。研究方向是电力电子技术，电力半导体器件建模及其应用，电力电子可靠性研究。在国际高水平期刊/会议发表论文20余篇。现为IET Power Electronics 副主编，是IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE Transactions on Industry Applications等多个著名期刊/会议审稿人,是科技部、国家留学基金委、湖南省人才计划等的特聘评审专家。曾获剑桥大学海外学生奖学金, IEEE IECON Studentship,太古集团Henry Lester Trust, 剑桥大学Lundgren Fund, 剑桥大学圣凯瑟琳学院奖学金等。现主持国家自然科学基金一项，中央军委科技委重点基金项目一项，国家十三五重点研发计划公开任务一项，省级工程技术研究中心重点研发项目一项。